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日前，三安光电发布公告宣布全资子公司湖南三安半导体有限责任公司（以下简称“湖南三安”）获得产业扶持资金近154亿元。
公告显示，根据三安光电与长沙高新技术产业开发区管理委员会签订的《项目投资建设合同》，长沙高新技术产业开发区管理委员会同意拨付湖南三安15,37265万元，湖南三安已于11月13日收到这笔款项。
湖南三安是三安光电在长沙投建的160亿元第三代半导体项目的实施主体，经营范围包括研发、生产及销售6吋SiC导电衬底、4吋半绝缘衬底、SiC二极管外延、SiC MOSFET外延、SiC二极管外延芯片、SiC MOSFET芯片、碳化硅器件封装二极管、碳化硅器件封装MOSFET等第三代半导体产品。
此项目聚焦包括但不限于碳化硅的第三代半导体产业，拟建设长晶—衬底制作—外延生长—芯片制备—封装产业链。8月消息显示，湖南三安已完成部分项目用地摘牌，剩余土地也将尽快摘牌，项目处于基础建设阶段。
早前，三安光电表示，长沙高新技术产业开发区管理委员会给予项目实施主体补助、扶持、补贴等支持资金，包括科技研发专项扶持、生产要素补贴、两高人才补贴、市场拓展等。
本次获得产业扶持资金，在一定程度上有助于湖南三安推动第三代半导体项目的建设与实施。据了解，该项目在用地各项手续和相关条件齐备后24个月内完成一期项目建设并实现投产，48个月内完成二期项目建设和固定资产投资并实现投产，72个月内实现达产。
除了长沙第三代半导体项目以外，三安光电同时正在稳步推进其他几个关于Mini/Micro LED、化合物半导体的大项目。
其中，湖北葛店120亿元Mini/Micro LED芯片产业化项目去年7月正式开工，今年顺利推进，预计明年3月项目投产见效。
福建泉州333亿元高端氮化镓LED衬底等七大产业化项目也正在顺利推进中，并于今年加快了发展步伐，项目已有部分设备调试完成，产能正在逐步释放。