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据台媒Digitimes报道，台积电将扩大采购EUV 设备，明年机台就将超过50 之数，估计可达55 台，非常可观。相较之下，三星可能还不到一半，而英特尔更少，这将令台积电持续维持制程优势。从EUV 光罩盒的采购量看来也支持这样的说法。
而从之前的消息看来，台积电是毫无疑问的EUV大买家。
台积电买下市场上50%的EUV光刻机
在上个月召开的台积电技术研讨会上，最重要的中心信息之一是，该公司在半导体制造领域处于世界领先地位，特别是在领先的工艺技术领域。
为进一步传达信息，台积电展示了一张幻灯片，指出了它与其他产品的相对位置：通过结合ASML的声明和自己的内部采购单，台积电预测他们已安装了全世界约约50％的激活EUV机器。除此之外，该公司还拥有约60％的EUV晶圆累计生产量。
大型晶圆厂目前已知的公开EUV工艺包括TSMC的7+和N5，以及三星的7LPP（及以下任何产品），英特尔的EUV努力仅在明年进入其自己的7nm产品组合。这些流程之外的任何前沿技术都将继续扩大EUV的使用范围。
与常规DUV机器相比，EUV机器的吞吐率通常较低，每小时约为120-175片晶圆，最新版本可以达到275 wph，但是由于1层EUV通常可以代替3-4层DUV，因此吞吐率更高。但是，对于这些代工厂来说，渴望扩展到多个EUV机器以增加晶圆的物理数量是一个迫切的目标 。
唯一制造EUV机器的公司是ASML，并且该公司公开宣布其每年销售多少台机器。详情如下：
请注意，到目前为止，ASML仍未完全达到其目标，但是已经足够接近实现目标，这表明到2020年第二季度末，ASML仅出货了13台，但他们预期是35个系统。这些数字包括ASML已制造的所有不同类型的Twinscan NXE机器，而更新的机器具有更高的吞吐量（有时会翻新一些旧的机器）。截止到2020年Q2，我们预测ASML已经发货的EUV机接近71台，到2020年年底，这个数字将有可能达到90台，然而ASML可能有多达积压49 EUV扫描曝光机订单，即使具有这些发货目标。
如果ASML已经出货了71台机器，那么根据台积电的数字，这意味着该公司大约有30-35台。请注意，TSMC的数字是针对“已安装的EUV”机器的。我们获悉，从获取零件到校准机器使用最多需要6个月的时间。因此，目前，这些晶圆厂中有一些正在等待安装EUV机器，或者在Intel的情况下，可能仅用于早期测试或风险前试验。我们知道，GlobalFoundries拥有两台早期的EUV机器，安装了一台，但是当它决定不追求领先的7nm时最终出售了这两台机器，其中国内企业订购了一台，但据我们所知，由于美国施加的限制，它没有安装。。
随着台积电为其N5生产增加其Fab 18的产能，并提高其EUV集成度，看看台积电是否受制于其所拥有的机器数量是否受到限制将很有趣。在某个时候，英特尔在部署7纳米工艺时也会想购买一个数量（我已经看到英特尔已经至少有10台机器，但我无法确认），所以可能会有一个谁先获得订单的争吵。
但是可以肯定的是，ASML正处于中间位置，垄断着一切。
ASML研发下一代EUV光刻机：分辨率提升70% 逼近1nm极限
如前文所说，在EUV光刻机方面，荷兰ASML公司垄断了目前的EUV光刻机，去年出货26台，创造了新纪录。而据今年年初的报道，ASML公司正在研发新一代EUV光刻机，预计在2022年开始出货。根据ASML之前的报告，去年他们出货了26台EUV光刻机，预计2020年交付35台EUV光刻机，2021年则会达到45台到50台的交付量，是2019年的两倍左右。
目前ASML出货的光刻机主要是NXE:3400B及改进型的NXE:3400C，两者基本结构相同，但NXE:3400C采用模块化设计，维护更加便捷，平均维修时间将从48小时缩短到8-10小时，支持7nm、5nm。
此外，NXE:3400C的产能也从之前的125WPH（每小时处理晶圆数）提升到了175WPH。
不论NXE:3400B还是NXE:3400C，目前的EUV光刻机还是第一代，主要特点是物镜系统的NA（数值孔径）为033。
ASML最近纰漏他们还在研发新一代EUV光刻机EXE:5000系列，NA指标达到了055，主要合作伙伴是卡尔蔡司、IMEC比利时微电子中心。
与之前的光刻机相比，新一代光刻机意味着分辨率提升了70%左右，可以进一步提升光刻机的精度，毕竟ASML之前的目标是瞄准了2nm甚至极限的1nm工艺的。
不过新一代EUV光刻机还有点早，至少到2022年才能出货，大规模出货要到2024年甚至2025年，届时台积电、三星等公司确实要考虑3nm以下的制程工艺了。