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南大光电:国内第一只国产ArF光刻胶认证通过

时间:2023-10-25 10:53:07   作者:www.58hx.com   来源:网络   阅读:  
内容摘要:   光刻胶材料作为集成电路制造领域的重要关键材料,是一种有机化合物,经过紫外光、电子束等照射,光刻胶得到曝光,化学性质发生改变,经过显影液的洗涤,图案会留在衬底上。硅片制造中所用的光刻

  光刻胶材料作为集成电路制造领域的重要关键材料,是一种有机化合物,经过紫外光、电子束等照射,光刻胶得到曝光,化学性质发生改变,经过显影液的洗涤,图案会留在衬底上。硅片制造中所用的光刻胶以液态涂在硅片表面,而后被干燥成胶膜。

  因为该产品属于集成电路制造领域的重要关键材料,由于技术壁垒和客户壁垒高,全球光刻胶市场集中度高,市场被美日公司长期垄断。日本的JSR、东京应化、信越化学及富士电子四家企业占据了全球70%以上的市场份额,处于市场垄断地位。  按不同制程,光刻胶可分为EUV光刻胶、ArF光刻胶、KrF光刻胶及G线、i线光刻胶,前三者均为高端光刻胶产品,产业信息网数据显示,截至2019年国内在g线/i线光刻胶仅达到20%自给率,而KrF光刻胶自给率不足5%,ArF光刻胶则完全依赖进口。  但日前,机电之家网获悉,江苏南大光电材料股份有限公司发布公告称,公司控股子公司宁波南大光电材料有限公司自主研发的ArF光刻胶产品近日成功通过客户的使用认证。这标志着“ArF光刻胶产品开发和产业化”项目取得了关键性的突破,成为国内通过产品验证的第一只国产ArF光刻胶。据了解“ArF光刻胶产品开发和产业化”是宁波南大光电承接国家“02专项”的一个重点攻关项目。  江苏南大光电材料股份有限公司表示本次通过客户认证的产业化意义大。本次验证使用的50nm闪存技术平台,在特征尺寸上,线制程工艺可以满足45nm-90nm光刻需求,孔制程工艺可满足65nm-90nm光刻需求,该工艺平台的光刻胶在业界有代表性。但同时ArF光刻胶的复杂性决定了其在稳定量产阶段仍然存在工艺上的诸多风险,不仅需要技术攻关,还需要在应用中进行工艺的改进、完善,这些都会决定ArF光刻胶的量产规模和经济效益。公司将及时根据后续进展履行信息披露义务,敬请广大投资者注意投资风险。

标签: 光刻  南大  光电  通过  材料  
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